MDP1723TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDP1723TH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 138.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 88.3 nC
Tiempo de subida (tr): 14.7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1830 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDP1723TH
MDP1723TH Datasheet (PDF)
mdp1723th.pdf
MDP1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 120A, 2.3m General Description Features The MDP1723 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 40V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDP1723 is suitable device for Synchronous
mdp1723.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MDP1723FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgeneral purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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