MDP1723TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDP1723TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1830 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDP1723TH

MDP1723TH Datasheet (PDF)

..1. Size:1119K magnachip
mdp1723th.pdf

MDP1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 120A, 2.3m General Description Features The MDP1723 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 40V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDP1723 is suitable device for Synchronous

7.1. Size:245K inchange semiconductor
mdp1723.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP1723FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgeneral purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: