Справочник MOSFET. MDP1723TH

 

MDP1723TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP1723TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 88.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1830 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP1723TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP1723TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1119K  magnachip
 mdp1723th.pdf pdf_icon

MDP1723TH

MDP1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 120A, 2.3m General Description Features The MDP1723 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 40V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDP1723 is suitable device for Synchronous

 7.1. Size:245K  inchange semiconductor
 mdp1723.pdf pdf_icon

MDP1723TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP1723FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.3mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgeneral purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.