MDP1723TH - описание и поиск аналогов

 

MDP1723TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDP1723TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1830 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MDP1723TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP1723TH даташит

 ..1. Size:1119K  magnachip
 mdp1723th.pdf pdf_icon

MDP1723TH

MDP1723 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 120A, 2.3m General Description Features The MDP1723 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 40V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 120A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDP1723 is suitable device for Synchronous

 7.1. Size:245K  inchange semiconductor
 mdp1723.pdf pdf_icon

MDP1723TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP1723 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.3m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , MDP15N60GTH , MDP16N50GTH , STP65NF06 , MDP18N50BTH , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH , MDP1932TH , MDP1933TH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.