MDP4N60TH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDP4N60TH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: TO-220
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MDP4N60TH datasheet
mdf4n60th mdf4n60tp mdp4n60th mdp4n60tp.pdf
MDP4N60/MDF4N60 N-Channel MOSFET 600V, 4.6A, 2.0 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 4.6A @ V = 10V D GS state resistance, high switching performance and excellent R 2.0 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are suitable
Otros transistores... MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH , MDP1932TH , MDP1933TH , MDP2N60TH , MDP2N60TP , EMB04N03H , MDP4N60TP , MDP5N50BTH , MDP5N50FTH , MDP5N50ZTH , MDP6N60TH , MDP7N50BTH , MDP7N60BTH , MDP7N60TH .
History: BSO301SP | EM6K7
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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