MDP4N60TH - описание и поиск аналогов

 

MDP4N60TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDP4N60TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MDP4N60TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP4N60TH даташит

 ..1. Size:1239K  magnachip
 mdf4n60th mdf4n60tp mdp4n60th mdp4n60tp.pdf pdf_icon

MDP4N60TH

MDP4N60/MDF4N60 N-Channel MOSFET 600V, 4.6A, 2.0 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 4.6A @ V = 10V D GS state resistance, high switching performance and excellent R 2.0 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are suitable

Другие MOSFET... MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH , MDP1932TH , MDP1933TH , MDP2N60TH , MDP2N60TP , EMB04N03H , MDP4N60TP , MDP5N50BTH , MDP5N50FTH , MDP5N50ZTH , MDP6N60TH , MDP7N50BTH , MDP7N60BTH , MDP7N60TH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.