MDP4N60TH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDP4N60TH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 92.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.1 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 58 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: TO-220
MDP4N60TH Datasheet (PDF)
..1. Size:1239K magnachip
mdf4n60th mdf4n60tp mdp4n60th mdp4n60tp.pdf
mdf4n60th mdf4n60tp mdp4n60th mdp4n60tp.pdf
MDP4N60/MDF4N60 N-Channel MOSFET 600V, 4.6A, 2.0 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 4.6A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 2.0 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
