MDP6N60TH Todos los transistores

 

MDP6N60TH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDP6N60TH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MDP6N60TH datasheet

 ..1. Size:1095K  magnachip
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MDP6N60TH

MDP6N60/MDF6N60 N-Channel MOSFET 600V, 6A, 1.4 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 6.0A @ V = 10V D GS state resistance, high switching performance and excellent R 1.4 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are suitable device for SM

Otros transistores... MDP1933TH , MDP2N60TH , MDP2N60TP , MDP4N60TH , MDP4N60TP , MDP5N50BTH , MDP5N50FTH , MDP5N50ZTH , 60N06 , MDP7N50BTH , MDP7N60BTH , MDP7N60TH , MDP8N60TH , MDP9N50BTH , MDP9N60TH , MDQ16N50GTH , MDQ16N50GTP .

 

 

 

 

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