MDP6N60TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDP6N60TH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MDP6N60TH MOSFET
MDP6N60TH Datasheet (PDF)
mdf6n60th mdp6n60th.pdf

MDP6N60/MDF6N60 N-Channel MOSFET 600V, 6A, 1.4 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 6.0A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 1.4 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for SM
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History: IXTH140P05T | BSS138N | AOK53S60 | IXFT70N20Q3
History: IXTH140P05T | BSS138N | AOK53S60 | IXFT70N20Q3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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