MDP6N60TH Todos los transistores

 

MDP6N60TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDP6N60TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 131 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MDP6N60TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  magnachip
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MDP6N60TH

MDP6N60/MDF6N60 N-Channel MOSFET 600V, 6A, 1.4 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 6.0A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 1.4 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for SM

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History: IRF7104 | 8N65KL-TF3-T | MDP5N50ZTH | MTM68411 | DHESJ11N65 | STD55NH2LLT4 | 2SJ345

 

 
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