Справочник MOSFET. MDP6N60TH

 

MDP6N60TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP6N60TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 131 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP6N60TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP6N60TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  magnachip
 mdf6n60th mdp6n60th.pdf pdf_icon

MDP6N60TH

MDP6N60/MDF6N60 N-Channel MOSFET 600V, 6A, 1.4 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 6.0A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 1.4 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for SM

Другие MOSFET... MDP1933TH , MDP2N60TH , MDP2N60TP , MDP4N60TH , MDP4N60TP , MDP5N50BTH , MDP5N50FTH , MDP5N50ZTH , AO4468 , MDP7N50BTH , MDP7N60BTH , MDP7N60TH , MDP8N60TH , MDP9N50BTH , MDP9N60TH , MDQ16N50GTH , MDQ16N50GTP .

History: QM3001S | FXN30S55C | IRFI9Z24GPBF | SIZ300DT | BRCS200P012ZJ | APQ14SN65AH | TK13A60W

 

 
Back to Top

 


 
.