MDP8N60TH Todos los transistores

 

MDP8N60TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDP8N60TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDP8N60TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  magnachip
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MDP8N60TH

MDP8N60 N-Channel MOSFET 600V, 8A, 1.0 General Description Features The MDP8N60 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 600V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high V = 660V @ T DS jmaxswitching performance and excellent quality. I =8.0A @ V = 10V D GS RDS(ON) 1.0 @ VGS = 10V MDP8N60 is suitable device for SMPS, high Speed switching Applicatio

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
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MDP8N60TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP8N60THFEATURESDrain Current : I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.0(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

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History: FQA6N90CF109 | SFF40N10-28 | FTK2N60I | ELM13400CA-S | 2SK2314 | BMS4007 | VBFB165R10

 

 
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