MDP8N60TH Todos los transistores

 

MDP8N60TH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDP8N60TH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MDP8N60TH datasheet

 ..1. Size:743K  magnachip
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MDP8N60TH

MDP8N60 N-Channel MOSFET 600V, 8A, 1.0 General Description Features The MDP8N60 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 600V DS Technology, which provides low on-state resistance, high V = 660V @ T DS jmax switching performance and excellent quality. I =8.0A @ V = 10V D GS RDS(ON) 1.0 @ VGS = 10V MDP8N60 is suitable device for SMPS, high Speed switching Applicatio

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
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MDP8N60TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP8N60TH FEATURES Drain Current I = 8A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.0 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

Otros transistores... MDP4N60TP , MDP5N50BTH , MDP5N50FTH , MDP5N50ZTH , MDP6N60TH , MDP7N50BTH , MDP7N60BTH , MDP7N60TH , IRFZ44N , MDP9N50BTH , MDP9N60TH , MDQ16N50GTH , MDQ16N50GTP , MDQ18N50GTH , MDQ18N50GTP , MDQ23N50DTP , MDS1521URH .

History: AP70SL1K4BJB

 

 

 

 

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