Справочник MOSFET. MDP8N60TH

 

MDP8N60TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP8N60TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP8N60TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP8N60TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  magnachip
 mdp8n60th.pdf pdf_icon

MDP8N60TH

MDP8N60 N-Channel MOSFET 600V, 8A, 1.0 General Description Features The MDP8N60 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 600V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high V = 660V @ T DS jmaxswitching performance and excellent quality. I =8.0A @ V = 10V D GS RDS(ON) 1.0 @ VGS = 10V MDP8N60 is suitable device for SMPS, high Speed switching Applicatio

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
 mdp8n60th.pdf pdf_icon

MDP8N60TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP8N60THFEATURESDrain Current : I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.0(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

Другие MOSFET... MDP4N60TP , MDP5N50BTH , MDP5N50FTH , MDP5N50ZTH , MDP6N60TH , MDP7N50BTH , MDP7N60BTH , MDP7N60TH , IRFZ44N , MDP9N50BTH , MDP9N60TH , MDQ16N50GTH , MDQ16N50GTP , MDQ18N50GTH , MDQ18N50GTP , MDQ23N50DTP , MDS1521URH .

History: IRF2907ZS-7P | PE5E4BA

 

 
Back to Top

 


 
.