MDQ16N50GTH Todos los transistores

 

MDQ16N50GTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDQ16N50GTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDQ16N50GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  magnachip
 mdq16n50gth mdq16n50gtp.pdf pdf_icon

MDQ16N50GTH

MDQ16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.5A, 0.35 General Description Features V = 500V DSThese N-channel MOSFET are produced using advanced I = 16.5A @V = 10V D GSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- R 0.35 @V = 10V DS(ON) GSstate resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are suitab

 4.1. Size:328K  inchange semiconductor
 mdq16n50gtp.pdf pdf_icon

MDQ16N50GTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ16N50GTPFEATURESDrain Current : I = 16.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.35(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SVS65R380DD4TR | AOB418 | WVM13N50 | FDMQ8203 | SL3N06 | 2SJ665

 

 
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