MDQ16N50GTH Todos los transistores

 

MDQ16N50GTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDQ16N50GTH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: TO-247

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MDQ16N50GTH datasheet

 ..1. Size:813K  magnachip
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MDQ16N50GTH

MDQ16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.5A, 0.35 General Description Features V = 500V DS These N-channel MOSFET are produced using advanced I = 16.5A @V = 10V D GS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- R 0.35 @V = 10V DS(ON) GS state resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are suitab

 4.1. Size:328K  inchange semiconductor
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MDQ16N50GTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ16N50GTP FEATURES Drain Current I = 16.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.35 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and s

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