Справочник MOSFET. MDQ16N50GTH

 

MDQ16N50GTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDQ16N50GTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 88.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 226 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDQ16N50GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  magnachip
 mdq16n50gth mdq16n50gtp.pdf pdf_icon

MDQ16N50GTH

MDQ16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.5A, 0.35 General Description Features V = 500V DSThese N-channel MOSFET are produced using advanced I = 16.5A @V = 10V D GSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- R 0.35 @V = 10V DS(ON) GSstate resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are suitab

 4.1. Size:328K  inchange semiconductor
 mdq16n50gtp.pdf pdf_icon

MDQ16N50GTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ16N50GTPFEATURESDrain Current : I = 16.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.35(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRF7306QPBF | AOI482 | APM4012NU | FS10KM-12 | MMDF1N05ER2G | 2SK1758 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.