MDQ18N50GTH Todos los transistores

 

MDQ18N50GTH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDQ18N50GTH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 302 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO-247

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MDQ18N50GTH datasheet

 ..1. Size:915K  magnachip
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MDQ18N50GTH

MDQ18N50G N-Channel MOSFET 500V, 20.0A, 0.27 General Description Features . V = 500V DS These N-channel MOSFET are produced using advanced I = 20.0A @ V = 10V D GS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- R 0.27 @ V = 10V DS(ON) GS state resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are s

 4.1. Size:328K  inchange semiconductor
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MDQ18N50GTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ18N50GTP FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.27 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

Otros transistores... MDP7N50BTH , MDP7N60BTH , MDP7N60TH , MDP8N60TH , MDP9N50BTH , MDP9N60TH , MDQ16N50GTH , MDQ16N50GTP , IRF540N , MDQ18N50GTP , MDQ23N50DTP , MDS1521URH , MDS1524URH , MDS1525URH , MDS1526URH , MDS1527URH , MDS1528URH .

History: BSS7728NG | WM05N03M | WMS08DH04T1

 

 

 

 

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