Справочник MOSFET. MDQ18N50GTH

 

MDQ18N50GTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDQ18N50GTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для MDQ18N50GTH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDQ18N50GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:915K  magnachip
 mdq18n50gth mdq18n50gtp.pdf pdf_icon

MDQ18N50GTH

MDQ18N50G N-Channel MOSFET 500V, 20.0A, 0.27 General Description Features . V = 500V DSThese N-channel MOSFET are produced using advanced I = 20.0A @ V = 10V D GSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- R 0.27 @ V = 10V DS(ON) GSstate resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are s

 4.1. Size:328K  inchange semiconductor
 mdq18n50gtp.pdf pdf_icon

MDQ18N50GTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ18N50GTPFEATURESDrain Current : I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.27(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

Другие MOSFET... MDP7N50BTH , MDP7N60BTH , MDP7N60TH , MDP8N60TH , MDP9N50BTH , MDP9N60TH , MDQ16N50GTH , MDQ16N50GTP , IRF540 , MDQ18N50GTP , MDQ23N50DTP , MDS1521URH , MDS1524URH , MDS1525URH , MDS1526URH , MDS1527URH , MDS1528URH .

History: FSYA250D | FXN10N50F

 

 
Back to Top

 


 
.