MDQ23N50DTP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDQ23N50DTP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.245 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDQ23N50DTP

MDQ23N50DTP Datasheet (PDF)

..1. Size:837K magnachip
mdq23n50dtp.pdf

MDQ23N50D N-Channel MOSFET 500V, 23.0A, 0.245General Description Features . VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced ID = 23.0A @ VGS = 10V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- RDS(ON) 0.245 @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are suitable device fo

..2. Size:328K inchange semiconductor
mdq23n50dtp.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ23N50DTPFEATURESDrain Current : I = 23A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.245(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

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Liste

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