Справочник MOSFET. MDQ23N50DTP

 

MDQ23N50DTP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDQ23N50DTP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.245 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для MDQ23N50DTP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDQ23N50DTP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  magnachip
 mdq23n50dtp.pdf pdf_icon

MDQ23N50DTP

MDQ23N50D N-Channel MOSFET 500V, 23.0A, 0.245General Description Features . VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced ID = 23.0A @ VGS = 10V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- RDS(ON) 0.245 @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are suitable device fo

 ..2. Size:328K  inchange semiconductor
 mdq23n50dtp.pdf pdf_icon

MDQ23N50DTP

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ23N50DTPFEATURESDrain Current : I = 23A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.245(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

Другие MOSFET... MDP7N60TH , MDP8N60TH , MDP9N50BTH , MDP9N60TH , MDQ16N50GTH , MDQ16N50GTP , MDQ18N50GTH , MDQ18N50GTP , 50N06 , MDS1521URH , MDS1524URH , MDS1525URH , MDS1526URH , MDS1527URH , MDS1528URH , MDS1651URH , MDS1652ERUH .

History: PSMN2R0-60ES | BUK725R0-40C

 

 
Back to Top

 


 
.