Справочник MOSFET. MDQ23N50DTP

 

MDQ23N50DTP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDQ23N50DTP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 76 nC
   trⓘ - Время нарастания: 155 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.245 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для MDQ23N50DTP

 

 

MDQ23N50DTP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  magnachip
 mdq23n50dtp.pdf

MDQ23N50DTP MDQ23N50DTP

MDQ23N50D N-Channel MOSFET 500V, 23.0A, 0.245General Description Features . VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced ID = 23.0A @ VGS = 10V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- RDS(ON) 0.245 @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are suitable device fo

 ..2. Size:328K  inchange semiconductor
 mdq23n50dtp.pdf

MDQ23N50DTP MDQ23N50DTP

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ23N50DTPFEATURESDrain Current : I = 23A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.245(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top