MDQ23N50DTP - описание и поиск аналогов

 

MDQ23N50DTP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDQ23N50DTP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.245 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для MDQ23N50DTP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDQ23N50DTP даташит

 ..1. Size:837K  magnachip
 mdq23n50dtp.pdf pdf_icon

MDQ23N50DTP

MDQ23N50D N-Channel MOSFET 500V, 23.0A, 0.245 General Description Features . VDS = 500V These N-channel MOSFET are produced using advanced ID = 23.0A @ VGS = 10V MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- RDS(ON) 0.245 @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are suitable device fo

 ..2. Size:328K  inchange semiconductor
 mdq23n50dtp.pdf pdf_icon

MDQ23N50DTP

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ23N50DTP FEATURES Drain Current I = 23A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.245 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

Другие MOSFET... MDP7N60TH , MDP8N60TH , MDP9N50BTH , MDP9N60TH , MDQ16N50GTH , MDQ16N50GTP , MDQ18N50GTH , MDQ18N50GTP , 50N06 , MDS1521URH , MDS1524URH , MDS1525URH , MDS1526URH , MDS1527URH , MDS1528URH , MDS1651URH , MDS1652ERUH .

History: BUK128-50DL | CS10N65F | FDMC86102

 

 

 

 

↑ Back to Top
.