MDS1754RH Todos los transistores

 

MDS1754RH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDS1754RH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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MDS1754RH datasheet

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MDS1754RH

MDS1754 N-Channel Trench MOSFET, 40V, 7.6A, 29m Features General Description V = 40V DS The MDS1754 uses advanced MagnaChip s Trench ID = 7.6 (VGS = 10V) MOSFET Technology to provided high performance in R DS(ON) on-state resistance, switching performance and reliability.

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History: MTP10N10E | SVT033R5NAT

 

 

 

 

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