MDS1754RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDS1754RH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
- Selección de transistores por parámetros
MDS1754RH Datasheet (PDF)
mds1754rh.pdf

MDS1754 N-Channel Trench MOSFET, 40V, 7.6A, 29m Features General Description V = 40V DSThe MDS1754 uses advanced MagnaChips Trench ID = 7.6 (VGS = 10V) MOSFET Technology to provided high performance in R DS(ON)on-state resistance, switching performance and reliability.
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AP30T10GM | FRS240H | RU8080R | RUH1H139R-A | FQD10N20CTF | IPI65R190CFD | KI2312DS
History: AP30T10GM | FRS240H | RU8080R | RUH1H139R-A | FQD10N20CTF | IPI65R190CFD | KI2312DS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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