MDS1754RH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDS1754RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для MDS1754RH
MDS1754RH Datasheet (PDF)
mds1754rh.pdf
MDS1754 N-Channel Trench MOSFET, 40V, 7.6A, 29m Features General Description V = 40V DSThe MDS1754 uses advanced MagnaChips Trench ID = 7.6 (VGS = 10V) MOSFET Technology to provided high performance in R DS(ON)on-state resistance, switching performance and reliability.
Другие MOSFET... MDS1527URH , MDS1528URH , MDS1651URH , MDS1652ERUH , MDS1653URH , MDS1654URH , MDS1655URH , MDS1656URH , AON6414A , MDS1903URH , MDS1951URH , MDS3603URH , MDS3604URH , MDS3651URH , MDS3652URH , MDS3653URH , MDS3753EURH .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent


