MDS1754RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDS1754RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 17.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MDS1754RH Datasheet (PDF)
mds1754rh.pdf

MDS1754 N-Channel Trench MOSFET, 40V, 7.6A, 29m Features General Description V = 40V DSThe MDS1754 uses advanced MagnaChips Trench ID = 7.6 (VGS = 10V) MOSFET Technology to provided high performance in R DS(ON)on-state resistance, switching performance and reliability.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: 2SK1818-MR | IPP70N04S3-07 | IPD50R280CE | IPP037N06L3 | SK2306 | NDT6N70 | AP9990GP-HF
History: 2SK1818-MR | IPP70N04S3-07 | IPD50R280CE | IPP037N06L3 | SK2306 | NDT6N70 | AP9990GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent