Справочник MOSFET. MDS1754RH

 

MDS1754RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDS1754RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для MDS1754RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDS1754RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:649K  magnachip
 mds1754rh.pdf pdf_icon

MDS1754RH

MDS1754 N-Channel Trench MOSFET, 40V, 7.6A, 29m Features General Description V = 40V DSThe MDS1754 uses advanced MagnaChips Trench ID = 7.6 (VGS = 10V) MOSFET Technology to provided high performance in R DS(ON)on-state resistance, switching performance and reliability.

Другие MOSFET... MDS1527URH , MDS1528URH , MDS1651URH , MDS1652ERUH , MDS1653URH , MDS1654URH , MDS1655URH , MDS1656URH , IRFB4110 , MDS1903URH , MDS1951URH , MDS3603URH , MDS3604URH , MDS3651URH , MDS3652URH , MDS3653URH , MDS3753EURH .

History: IPB65R600C6

 

 
Back to Top

 


 
.