MDS1903URH Todos los transistores

 

MDS1903URH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDS1903URH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDS1903URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  magnachip
 mds1903urh.pdf pdf_icon

MDS1903URH

MDS1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 3.3A, 110m General Description Features The MDS1903 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 100V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 3.3A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) (MAX) quality. MDS1903 is suitable device for DC to DC

 9.1. Size:787K  magnachip
 mds1951urh.pdf pdf_icon

MDS1903URH

MDS1951 Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 6A, 45m General Description Features V = 60V The MDS1951 uses advanced Magnachips DS I = 6A @V = 10V D GSMOSFET Technology, which provides low on-state RDS(ON) resistance, high switching performance and

Otros transistores... MDS1528URH , MDS1651URH , MDS1652ERUH , MDS1653URH , MDS1654URH , MDS1655URH , MDS1656URH , MDS1754RH , IRF9540 , MDS1951URH , MDS3603URH , MDS3604URH , MDS3651URH , MDS3652URH , MDS3653URH , MDS3753EURH , MDS3754ARH .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
Back to Top

 


 
.