MDS1903URH Todos los transistores

 

MDS1903URH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDS1903URH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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MDS1903URH datasheet

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MDS1903URH

MDS1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 3.3A, 110m General Description Features The MDS1903 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 3.3A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) (MAX) quality. MDS1903 is suitable device for DC to DC

 9.1. Size:787K  magnachip
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MDS1903URH

MDS1951 Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 6A, 45m General Description Features V = 60V The MDS1951 uses advanced Magnachip s DS I = 6A @V = 10V D GS MOSFET Technology, which provides low on-state RDS(ON) resistance, high switching performance and

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