MDS1903URH - описание и поиск аналогов

 

MDS1903URH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDS1903URH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для MDS1903URH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDS1903URH даташит

 ..1. Size:805K  magnachip
 mds1903urh.pdf pdf_icon

MDS1903URH

MDS1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 3.3A, 110m General Description Features The MDS1903 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 3.3A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) (MAX) quality. MDS1903 is suitable device for DC to DC

 9.1. Size:787K  magnachip
 mds1951urh.pdf pdf_icon

MDS1903URH

MDS1951 Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 6A, 45m General Description Features V = 60V The MDS1951 uses advanced Magnachip s DS I = 6A @V = 10V D GS MOSFET Technology, which provides low on-state RDS(ON) resistance, high switching performance and

Другие MOSFET... MDS1528URH , MDS1651URH , MDS1652ERUH , MDS1653URH , MDS1654URH , MDS1655URH , MDS1656URH , MDS1754RH , IRFB4115 , MDS1951URH , MDS3603URH , MDS3604URH , MDS3651URH , MDS3652URH , MDS3653URH , MDS3753EURH , MDS3754ARH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.