MDS1951URH Todos los transistores

 

MDS1951URH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDS1951URH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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MDS1951URH Datasheet (PDF)

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MDS1951URH

MDS1951 Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 6A, 45m General Description Features V = 60V The MDS1951 uses advanced Magnachips DS I = 6A @V = 10V D GSMOSFET Technology, which provides low on-state RDS(ON) resistance, high switching performance and

 9.1. Size:805K  magnachip
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MDS1951URH

MDS1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 3.3A, 110m General Description Features The MDS1903 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 100V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 3.3A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) (MAX) quality. MDS1903 is suitable device for DC to DC

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History: JCS4N70B | HM4N60I | BUK7M15-40H | MDP14N25CTP | BUK7606-55B | AP95T06GP-HF | MDIS1501TH

 

 
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