Справочник MOSFET. MDS1951URH

 

MDS1951URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDS1951URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для MDS1951URH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDS1951URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:787K  magnachip
 mds1951urh.pdf pdf_icon

MDS1951URH

MDS1951 Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 6A, 45m General Description Features V = 60V The MDS1951 uses advanced Magnachips DS I = 6A @V = 10V D GSMOSFET Technology, which provides low on-state RDS(ON) resistance, high switching performance and

 9.1. Size:805K  magnachip
 mds1903urh.pdf pdf_icon

MDS1951URH

MDS1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 3.3A, 110m General Description Features The MDS1903 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 100V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 3.3A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) (MAX) quality. MDS1903 is suitable device for DC to DC

Другие MOSFET... MDS1651URH , MDS1652ERUH , MDS1653URH , MDS1654URH , MDS1655URH , MDS1656URH , MDS1754RH , MDS1903URH , IRF9540 , MDS3603URH , MDS3604URH , MDS3651URH , MDS3652URH , MDS3653URH , MDS3753EURH , MDS3754ARH , MDS5601URH .

History: IXFN70N60Q2

 

 
Back to Top

 


 
.