MDS1951URH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDS1951URH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.4 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для MDS1951URH
MDS1951URH Datasheet (PDF)
mds1951urh.pdf
MDS1951 Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 6A, 45m General Description Features V = 60V The MDS1951 uses advanced Magnachips DS I = 6A @V = 10V D GSMOSFET Technology, which provides low on-state RDS(ON) resistance, high switching performance and
mds1903urh.pdf
MDS1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 3.3A, 110m General Description Features The MDS1903 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 100V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 3.3A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) (MAX) quality. MDS1903 is suitable device for DC to DC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
