MDS3753EURH Todos los transistores

 

MDS3753EURH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDS3753EURH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 221 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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MDS3753EURH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:773K  magnachip
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MDS3753EURH

MDS3753E P-Channel Trench MOSFET, -40V, -7.1A, 30m General Description Features The MDS3753E uses advanced MagnaChips MOSFET V = -40V DSTechnology to provide low on-state resistance, high I = -7.1A @ V = 10V D GS switching performance and excellent reliability R DS(ON)

 8.1. Size:786K  magnachip
 mds3754arh.pdf pdf_icon

MDS3753EURH

MDS3754A P-Channel Trench MOSFET, -40V, -6.0A, 45m General Description Features The MDS3754A uses advanced Magnachips Trench V = -40V DSMOSFET Technology to provided high performance in on- ID = -6.0 @ VGS = -10V state resistance, switching performance and reliability. R DS(ON)

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History: FMW60N190S2HF | AP60WN1K2H | 2SK3604-01S | R6011KNX | DMN3010LSS | HFB1N70S

 

 
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