MDS3753EURH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDS3753EURH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 221 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для MDS3753EURH
MDS3753EURH Datasheet (PDF)
mds3753eurh.pdf

MDS3753E P-Channel Trench MOSFET, -40V, -7.1A, 30m General Description Features The MDS3753E uses advanced MagnaChips MOSFET V = -40V DSTechnology to provide low on-state resistance, high I = -7.1A @ V = 10V D GS switching performance and excellent reliability R DS(ON)
mds3754arh.pdf

MDS3754A P-Channel Trench MOSFET, -40V, -6.0A, 45m General Description Features The MDS3754A uses advanced Magnachips Trench V = -40V DSMOSFET Technology to provided high performance in on- ID = -6.0 @ VGS = -10V state resistance, switching performance and reliability. R DS(ON)
Другие MOSFET... MDS1754RH , MDS1903URH , MDS1951URH , MDS3603URH , MDS3604URH , MDS3651URH , MDS3652URH , MDS3653URH , AO3400 , MDS3754ARH , MDS5601URH , MDS5651URH , MDS5652URH , MDS5951URH , MDU1401SVRH , MDU1402VRH , MDU1511RH .
History: 2SK2009 | WMK037N10HGS | TK39N60W5 | WVM15N40 | RW1A020ZP | 2P829E9 | FCB11N60FTM
History: 2SK2009 | WMK037N10HGS | TK39N60W5 | WVM15N40 | RW1A020ZP | 2P829E9 | FCB11N60FTM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement