MDS5601URH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDS5601URH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 21.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 204 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDS5601URH

MDS5601URH Datasheet (PDF)

..1. Size:673K magnachip
mds5601urh.pdf

MDS5601 Dual N-channel Trench MOSFET 30V, 12.9A, 10.5mGeneral Description Features The MDS5601 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 30V Technology, which provides high performance in on-state ID = 12.9A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDS5601 is suitable for DC/DC converter and

9.1. Size:696K magnachip
mds5651urh.pdf

MDS5651Dual N-Channel Trench MOSFET 30V, 7.5A, 26m General Description Features The MDS5651 uses advanced MagnaChips trench MOSFET VDS = 30V Technology to provide high performance in on-state resistance, I = 7.5A @V = 10V D GSswitching performance and reliability RDS(ON)

9.2. Size:750K magnachip
mds5652urh.pdf

MDS5652 Dual N-Channel Trench MOSFET, 30V, 7.5A, 22m General Description Features The MDS5652 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 30V Technology, which provides low on-state resistance, high I = 7.5A @V = 10V D GSswitching performance and exellent reliability. RDS(ON)

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Liste

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