MDS5601URH Todos los transistores

 

MDS5601URH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDS5601URH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 204 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: SO-8

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MDS5601URH datasheet

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MDS5601URH

MDS5601 Dual N-channel Trench MOSFET 30V, 12.9A, 10.5m General Description Features The MDS5601 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 30V Technology, which provides high performance in on-state ID = 12.9A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDS5601 is suitable for DC/DC converter and

 9.1. Size:696K  magnachip
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MDS5601URH

MDS5651 Dual N-Channel Trench MOSFET 30V, 7.5A, 26m General Description Features The MDS5651 uses advanced MagnaChip s trench MOSFET VDS = 30V Technology to provide high performance in on-state resistance, I = 7.5A @V = 10V D GS switching performance and reliability RDS(ON)

 9.2. Size:750K  magnachip
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MDS5601URH

MDS5652 Dual N-Channel Trench MOSFET, 30V, 7.5A, 22m General Description Features The MDS5652 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 30V Technology, which provides low on-state resistance, high I = 7.5A @V = 10V D GS switching performance and exellent reliability. RDS(ON)

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History: SVT035R5NT

 

 

 


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