Справочник MOSFET. MDS5601URH

 

MDS5601URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDS5601URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 204 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDS5601URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  magnachip
 mds5601urh.pdf pdf_icon

MDS5601URH

MDS5601 Dual N-channel Trench MOSFET 30V, 12.9A, 10.5mGeneral Description Features The MDS5601 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 30V Technology, which provides high performance in on-state ID = 12.9A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDS5601 is suitable for DC/DC converter and

 9.1. Size:696K  magnachip
 mds5651urh.pdf pdf_icon

MDS5601URH

MDS5651Dual N-Channel Trench MOSFET 30V, 7.5A, 26m General Description Features The MDS5651 uses advanced MagnaChips trench MOSFET VDS = 30V Technology to provide high performance in on-state resistance, I = 7.5A @V = 10V D GSswitching performance and reliability RDS(ON)

 9.2. Size:750K  magnachip
 mds5652urh.pdf pdf_icon

MDS5601URH

MDS5652 Dual N-Channel Trench MOSFET, 30V, 7.5A, 22m General Description Features The MDS5652 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 30V Technology, which provides low on-state resistance, high I = 7.5A @V = 10V D GSswitching performance and exellent reliability. RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.