MDS5601URH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDS5601URH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 21.3 ns
Выходная емкость (Cd): 204 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для MDS5601URH
MDS5601URH Datasheet (PDF)
mds5601urh.pdf
MDS5601 Dual N-channel Trench MOSFET 30V, 12.9A, 10.5mGeneral Description Features The MDS5601 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 30V Technology, which provides high performance in on-state ID = 12.9A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDS5601 is suitable for DC/DC converter and
mds5651urh.pdf
MDS5651Dual N-Channel Trench MOSFET 30V, 7.5A, 26m General Description Features The MDS5651 uses advanced MagnaChips trench MOSFET VDS = 30V Technology to provide high performance in on-state resistance, I = 7.5A @V = 10V D GSswitching performance and reliability RDS(ON)
mds5652urh.pdf
MDS5652 Dual N-Channel Trench MOSFET, 30V, 7.5A, 22m General Description Features The MDS5652 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 30V Technology, which provides low on-state resistance, high I = 7.5A @V = 10V D GSswitching performance and exellent reliability. RDS(ON)
Другие MOSFET... MDS1951URH , MDS3603URH , MDS3604URH , MDS3651URH , MDS3652URH , MDS3653URH , MDS3753EURH , MDS3754ARH , 12N60 , MDS5651URH , MDS5652URH , MDS5951URH , MDU1401SVRH , MDU1402VRH , MDU1511RH , MDU1512RH , MDU1513URH .
