MDS5951URH Todos los transistores

 

MDS5951URH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDS5951URH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

 Búsqueda de reemplazo de MDS5951URH MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MDS5951URH datasheet

 ..1. Size:607K  magnachip
 mds5951urh.pdf pdf_icon

MDS5951URH

MDS5951 Dual N-Channel Trench MOSFET 60V, 4.5A, 50m General Description Features V = 60V The MDS5951 uses advanced Magnachip s DS I = 4.5A @V = 10V D GS MOSFET Technology, which provides low on-state R DS(ON) resistance, high switching performance and

 ..2. Size:942K  cn vbsemi
 mds5951urh.pdf pdf_icon

MDS5951URH

MDS5951URH www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Chann

Otros transistores... MDS3651URH , MDS3652URH , MDS3653URH , MDS3753EURH , MDS3754ARH , MDS5601URH , MDS5651URH , MDS5652URH , IRF9540N , MDU1401SVRH , MDU1402VRH , MDU1511RH , MDU1512RH , MDU1513URH , MDU1514URH , MDU1515URH , MDU1516URH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.