MDS5951URH - описание и поиск аналогов

 

MDS5951URH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDS5951URH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для MDS5951URH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDS5951URH даташит

 ..1. Size:607K  magnachip
 mds5951urh.pdf pdf_icon

MDS5951URH

MDS5951 Dual N-Channel Trench MOSFET 60V, 4.5A, 50m General Description Features V = 60V The MDS5951 uses advanced Magnachip s DS I = 4.5A @V = 10V D GS MOSFET Technology, which provides low on-state R DS(ON) resistance, high switching performance and

 ..2. Size:942K  cn vbsemi
 mds5951urh.pdf pdf_icon

MDS5951URH

MDS5951URH www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Chann

Другие MOSFET... MDS3651URH , MDS3652URH , MDS3653URH , MDS3753EURH , MDS3754ARH , MDS5601URH , MDS5651URH , MDS5652URH , IRF9540N , MDU1401SVRH , MDU1402VRH , MDU1511RH , MDU1512RH , MDU1513URH , MDU1514URH , MDU1515URH , MDU1516URH .

History: STF19NM65N | SE2305A | FDS4501H | STB440S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.