MDU1402VRH Todos los transistores

 

MDU1402VRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDU1402VRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN56
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDU1402VRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1057K  magnachip
 mdu1402vrh.pdf pdf_icon

MDU1402VRH

Preliminary Subject to Change without Notice MDU1402 Single N-channel Trench MOSFET 25V General Description Features The MDU1402 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 25V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 66A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1402 is suitable device for DC/DC

 8.1. Size:1065K  magnachip
 mdu1401svrh.pdf pdf_icon

MDU1402VRH

Preliminary Subject to Change without Notice 7.9 MDU1401S Single N-channel Trench MOSFET 25V General Description Features The MDU1401S uses advanced MagnaChips MOSFET V = 25V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1401S is suitable device

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History: IPB80P04P4-07 | WFY3N02 | APT904R2AN | 10N80G-TF2-T | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | TMU02N15AT

 

 
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