MDU1402VRH Todos los transistores

 

MDU1402VRH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDU1402VRH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm

Encapsulados: PDFN56

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MDU1402VRH datasheet

 ..1. Size:1057K  magnachip
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MDU1402VRH

Preliminary Subject to Change without Notice MDU1402 Single N-channel Trench MOSFET 25V General Description Features The MDU1402 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 25V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 66A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDU1402 is suitable device for DC/DC

 8.1. Size:1065K  magnachip
 mdu1401svrh.pdf pdf_icon

MDU1402VRH

Preliminary Subject to Change without Notice 7.9 MDU1401S Single N-channel Trench MOSFET 25V General Description Features The MDU1401S uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 25V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDU1401S is suitable device

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