MDU1402VRH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDU1402VRH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: PDFN56
Аналог (замена) для MDU1402VRH
MDU1402VRH Datasheet (PDF)
mdu1402vrh.pdf
Preliminary Subject to Change without Notice MDU1402 Single N-channel Trench MOSFET 25V General Description Features The MDU1402 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 25V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 66A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1402 is suitable device for DC/DC
mdu1401svrh.pdf
Preliminary Subject to Change without Notice 7.9 MDU1401S Single N-channel Trench MOSFET 25V General Description Features The MDU1401S uses advanced MagnaChips MOSFET V = 25V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1401S is suitable device
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2N7002PW
History: 2N7002PW
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918