MDU1931VRH Todos los transistores

 

MDU1931VRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDU1931VRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.05 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN56
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDU1931VRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:931K  magnachip
 mdu1931vrh.pdf pdf_icon

MDU1931VRH

MDU1931 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 100A, 3.6m General Description Features The MDU1931 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 80V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1931 is suitable device for Synchronous

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History: 12N65KG-TQ2-R | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | JSM7410 | WFY3N02 | APT904R2AN | R6007KNJ

 

 
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