MDU1931VRH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDU1931VRH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.05 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Encapsulados: PDFN56
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MDU1931VRH datasheet
mdu1931vrh.pdf
MDU1931 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 100A, 3.6m General Description Features The MDU1931 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 80V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDU1931 is suitable device for Synchronous
Otros transistores... MDU1517RH , MDU1518URH , MDU1531SURH , MDU1532SURH , MDU1535URH , MDU1536URH , MDU1721VRH , MDU1722VRH , IRF530 , MDU2511SVRH , MDU3603RH , MDU3605URH , MDU5512URH , MDU5593SVRH , MDU5692SVRH , MDU5693VRH , MDV1522URH .
History: PT4953 | SVT085R5NL5TR | GKI06259
History: PT4953 | SVT085R5NL5TR | GKI06259
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