MDU1931VRH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDU1931VRH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1.05 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
Тип корпуса: PDFN56
Аналог (замена) для MDU1931VRH
MDU1931VRH Datasheet (PDF)
mdu1931vrh.pdf
MDU1931 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 100A, 3.6m General Description Features The MDU1931 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 80V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1931 is suitable device for Synchronous
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918