MDU5512URH Todos los transistores

 

MDU5512URH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDU5512URH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 196 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN56
 

 Búsqueda de reemplazo de MDU5512URH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MDU5512URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1483K  magnachip
 mdu5512urh.pdf pdf_icon

MDU5512URH

MDU5512 Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5512 uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 46.1A I = 80A @V = 10V D D GSquality. MDU5512 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)g

 9.1. Size:1512K  magnachip
 mdu5593svrh.pdf pdf_icon

MDU5512URH

MDU5593S Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5593S uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 34A I = 40A @V = 10V D D GSquality. MDU5593S is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

Otros transistores... MDU1535URH , MDU1536URH , MDU1721VRH , MDU1722VRH , MDU1931VRH , MDU2511SVRH , MDU3603RH , MDU3605URH , STP80NF70 , MDU5593SVRH , MDU5692SVRH , MDU5693VRH , MDV1522URH , MDV1523URH , MDV1524URH , MDV1525URH , MDV1526URH .

History: MDU5692SVRH | STD7NS20

 

 
Back to Top

 


 
.