MDU5512URH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDU5512URH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 196 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
Encapsulados: PDFN56
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MDU5512URH datasheet
mdu5512urh.pdf
MDU5512 Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5512 uses advanced MagnaChip s MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DS resistance, fast switching performance and excellent I = 46.1A I = 80A @V = 10V D D GS quality. MDU5512 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON) g
mdu5593svrh.pdf
MDU5593S Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5593S uses advanced MagnaChip s MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DS resistance, fast switching performance and excellent I = 34A I = 40A @V = 10V D D GS quality. MDU5593S is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)
Otros transistores... MDU1535URH , MDU1536URH , MDU1721VRH , MDU1722VRH , MDU1931VRH , MDU2511SVRH , MDU3603RH , MDU3605URH , STP80NF70 , MDU5593SVRH , MDU5692SVRH , MDU5693VRH , MDV1522URH , MDV1523URH , MDV1524URH , MDV1525URH , MDV1526URH .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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