Справочник MOSFET. MDU5512URH

 

MDU5512URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDU5512URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: PDFN56
 

 Аналог (замена) для MDU5512URH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDU5512URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1483K  magnachip
 mdu5512urh.pdf pdf_icon

MDU5512URH

MDU5512 Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5512 uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 46.1A I = 80A @V = 10V D D GSquality. MDU5512 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)g

 9.1. Size:1512K  magnachip
 mdu5593svrh.pdf pdf_icon

MDU5512URH

MDU5593S Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5593S uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 34A I = 40A @V = 10V D D GSquality. MDU5593S is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

Другие MOSFET... MDU1535URH , MDU1536URH , MDU1721VRH , MDU1722VRH , MDU1931VRH , MDU2511SVRH , MDU3603RH , MDU3605URH , 20N50 , MDU5593SVRH , MDU5692SVRH , MDU5693VRH , MDV1522URH , MDV1523URH , MDV1524URH , MDV1525URH , MDV1526URH .

History: MTN7451Q8

 

 
Back to Top

 


 
.