MDV3605URH Todos los transistores

 

MDV3605URH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDV3605URH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: PDFN33

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MDV3605URH datasheet

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MDV3605URH

MDV3605 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 18.0m General Description Features The MDV3605 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -20A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

 8.1. Size:833K  magnachip
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MDV3605URH

MDV3604 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 12.1m General Description Features The MDV3604 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -20A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

Otros transistores... MDV1527URH , MDV1528URH , MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , IRF2807 , MDV5524URH , MDZ1N60UMH , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P .

History: STE15NA100

 

 

 

 

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