Справочник MOSFET. MDV3605URH

 

MDV3605URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDV3605URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN33
 

 Аналог (замена) для MDV3605URH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDV3605URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  magnachip
 mdv3605urh.pdf pdf_icon

MDV3605URH

MDV3605Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 18.0m General Description Features The MDV3605 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -20A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

 8.1. Size:833K  magnachip
 mdv3604urh.pdf pdf_icon

MDV3605URH

MDV3604Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 12.1m General Description Features The MDV3604 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -20A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

Другие MOSFET... MDV1527URH , MDV1528URH , MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , IRFB31N20D , MDV5524URH , MDZ1N60UMH , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P .

History: NTD6415AN-1G | SI4408DY | 13N50G-TQ2-R

 

 
Back to Top

 


 
.