MDV3605URH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDV3605URH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: PDFN33
Аналог (замена) для MDV3605URH
MDV3605URH Datasheet (PDF)
mdv3605urh.pdf

MDV3605Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 18.0m General Description Features The MDV3605 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -20A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load
mdv3604urh.pdf

MDV3604Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 12.1m General Description Features The MDV3604 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -20A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load
Другие MOSFET... MDV1527URH , MDV1528URH , MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , IRFB31N20D , MDV5524URH , MDZ1N60UMH , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P .
History: SFF25P20M | IXTH140P05T | LSB60R170GF | MDV1527URH | IRCZ34 | IRF7807VPBF
History: SFF25P20M | IXTH140P05T | LSB60R170GF | MDV1527URH | IRCZ34 | IRF7807VPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor