MDV3605URH - описание и поиск аналогов

 

MDV3605URH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDV3605URH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PDFN33

Аналог (замена) для MDV3605URH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDV3605URH даташит

 ..1. Size:926K  magnachip
 mdv3605urh.pdf pdf_icon

MDV3605URH

MDV3605 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 18.0m General Description Features The MDV3605 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -20A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

 8.1. Size:833K  magnachip
 mdv3604urh.pdf pdf_icon

MDV3605URH

MDV3604 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 12.1m General Description Features The MDV3604 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -20A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

Другие MOSFET... MDV1527URH , MDV1528URH , MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , IRF2807 , MDV5524URH , MDZ1N60UMH , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P .

History: 6888K | FMV23N50E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.