MDV5524URH Todos los transistores

 

MDV5524URH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDV5524URH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0144 Ohm

Encapsulados: PDFN33

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MDV5524URH datasheet

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MDV5524URH

MDV5524 Asymmetric Dual N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDV5524 uses advanced MagnaChip s MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DS resistance, fast switching performance and excellent I = 24.5A I = 31.2A @V = 10V D D GS quality. MDV5524 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

Otros transistores... MDV1528URH , MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , MDV3605URH , STF13NM60N , MDZ1N60UMH , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 .

History: WMM13N50C4

 

 

 

 

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