Справочник MOSFET. MDV5524URH

 

MDV5524URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDV5524URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm
   Тип корпуса: PDFN33
 

 Аналог (замена) для MDV5524URH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDV5524URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1577K  magnachip
 mdv5524urh.pdf pdf_icon

MDV5524URH

MDV5524 Asymmetric Dual N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDV5524 uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 24.5A I = 31.2A @V = 10V D D GSquality. MDV5524 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

Другие MOSFET... MDV1528URH , MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , MDV3605URH , IRF2807 , MDZ1N60UMH , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 .

History: TPM2008EP3 | CEM3258 | DAMI220N200 | AON6816 | HGB050N14S | AO4453

 

 
Back to Top

 


 
.