Справочник MOSFET. MDV5524URH

 

MDV5524URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDV5524URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm
   Тип корпуса: PDFN33
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDV5524URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1577K  magnachip
 mdv5524urh.pdf pdf_icon

MDV5524URH

MDV5524 Asymmetric Dual N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDV5524 uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 24.5A I = 31.2A @V = 10V D D GSquality. MDV5524 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPM2008EP3 | PNMET20V06E | SPD04N60C3 | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | NCE2012 | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.