MDV5524URH - описание и поиск аналогов

 

MDV5524URH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDV5524URH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm

Тип корпуса: PDFN33

Аналог (замена) для MDV5524URH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDV5524URH даташит

 ..1. Size:1577K  magnachip
 mdv5524urh.pdf pdf_icon

MDV5524URH

MDV5524 Asymmetric Dual N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDV5524 uses advanced MagnaChip s MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DS resistance, fast switching performance and excellent I = 24.5A I = 31.2A @V = 10V D D GS quality. MDV5524 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

Другие MOSFET... MDV1528URH , MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , MDV3605URH , STF13NM60N , MDZ1N60UMH , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 .

History: SM6128NSKP | PMF250XN | 2N7002G-AE2-R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.