MDZ1N60UMH Todos los transistores

 

MDZ1N60UMH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDZ1N60UMH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm

Encapsulados: TO-92

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MDZ1N60UMH datasheet

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MDZ1N60UMH

MDZ1N60 N-Channel MOSFET 600V, 0.4 A, 8.5 General Description Features The MDZ1N60 uses advanced MagnaChip s V = 600V DS MOSFET technology, which provides low on-state I = 0.4A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) 8.5 @VGS = 10V excellent quality. MDZ1N60 is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and g

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