MDZ1N60UMH Todos los transistores

 

MDZ1N60UMH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDZ1N60UMH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDZ1N60UMH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:969K  magnachip
 mdz1n60umh.pdf pdf_icon

MDZ1N60UMH

MDZ1N60 N-Channel MOSFET 600V, 0.4 A, 8.5 General Description Features The MDZ1N60 uses advanced MagnaChips V = 600V DSMOSFET technology, which provides low on-state I = 0.4A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 8.5 @VGS = 10V excellent quality. MDZ1N60 is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and g

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPI12CNE8NG | NCEAP40T17AD | WSD2012DN25 | STK28N3LLH5 | IRF7103PBF | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C

 

 
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