MDZ1N60UMH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDZ1N60UMH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 1 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для MDZ1N60UMH
MDZ1N60UMH Datasheet (PDF)
1.1. mdz1n60umh.pdf 
Size:969K _magnachip
MDZ1N60 N-Channel MOSFET 600V, 0.4 A, 8.5Ω General Description Features The MDZ1N60 uses advanced MagnaChip’s V = 600V DS MOSFET technology, which provides low on-state I = 0.4A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) ≤ 8.5Ω @VGS = 10V excellent quality. MDZ1N60 is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and g
Другие MOSFET... MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , MDV3605URH , MDV5524URH , J113 , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 , MMD50R380P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RUS100N02 | RUR040N02TL | RUR040N02FRA | RUR020N02TL | RUQ050N02TR | RUQ050N02FRA | RUM003N02T2L | RUM002N05T2L | RUM002N02T2L | RUM001L02 | RUL035N02TR | RUF025N02TL | RUF015N02TL | RUE003N02TL | RUE002N02TL |