MDZ1N60UMH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDZ1N60UMH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для MDZ1N60UMH
MDZ1N60UMH Datasheet (PDF)
mdz1n60umh.pdf

MDZ1N60 N-Channel MOSFET 600V, 0.4 A, 8.5 General Description Features The MDZ1N60 uses advanced MagnaChips V = 600V DSMOSFET technology, which provides low on-state I = 0.4A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 8.5 @VGS = 10V excellent quality. MDZ1N60 is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and g
Другие MOSFET... MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , MDV3605URH , MDV5524URH , AON6380 , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 , MMD50R380P .
History: STW80NE06-10 | HFD5N65S | FDMD85100 | BUK764R4-60E | HM60N03K | MTN7N60E3 | AONA66916
History: STW80NE06-10 | HFD5N65S | FDMD85100 | BUK764R4-60E | HM60N03K | MTN7N60E3 | AONA66916



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor