MDZ1N60UMH - описание и поиск аналогов

 

MDZ1N60UMH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDZ1N60UMH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для MDZ1N60UMH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDZ1N60UMH даташит

 ..1. Size:969K  magnachip
 mdz1n60umh.pdf pdf_icon

MDZ1N60UMH

MDZ1N60 N-Channel MOSFET 600V, 0.4 A, 8.5 General Description Features The MDZ1N60 uses advanced MagnaChip s V = 600V DS MOSFET technology, which provides low on-state I = 0.4A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) 8.5 @VGS = 10V excellent quality. MDZ1N60 is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and g

Другие MOSFET... MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , MDV3605URH , MDV5524URH , IRFZ24N , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 , MMD50R380P .

History: WSD14N10DNG | DMN1002UCA6 | PTW69N30 | 2SK4069-ZK-E2-AY | FCP099N60E | BR2N7002K2 | SN6F22NSF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.