Справочник MOSFET. MDZ1N60UMH

 

MDZ1N60UMH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDZ1N60UMH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для MDZ1N60UMH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDZ1N60UMH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:969K  magnachip
 mdz1n60umh.pdf pdf_icon

MDZ1N60UMH

MDZ1N60 N-Channel MOSFET 600V, 0.4 A, 8.5 General Description Features The MDZ1N60 uses advanced MagnaChips V = 600V DSMOSFET technology, which provides low on-state I = 0.4A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 8.5 @VGS = 10V excellent quality. MDZ1N60 is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and g

Другие MOSFET... MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , MDV3605URH , MDV5524URH , AON6380 , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 , MMD50R380P .

History: STW80NE06-10 | HFD5N65S | FDMD85100 | BUK764R4-60E | HM60N03K | MTN7N60E3 | AONA66916

 

 
Back to Top

 


 
.