Справочник MOSFET. MDZ1N60UMH

 

MDZ1N60UMH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: MDZ1N60UMH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 17 ns

Выходная емкость (Cd): 1 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для MDZ1N60UMH

 

 

MDZ1N60UMH Datasheet (PDF)

1.1. mdz1n60umh.pdf Size:969K _magnachip

MDZ1N60UMH MDZ1N60UMH

 MDZ1N60 N-Channel MOSFET 600V, 0.4 A, 8.5Ω General Description Features The MDZ1N60 uses advanced MagnaChip’s  V = 600V DS MOSFET technology, which provides low on-state  I = 0.4A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and  RDS(ON) ≤ 8.5Ω @VGS = 10V excellent quality. MDZ1N60 is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charger and g

Другие MOSFET... MDV1529EURH , MDV1542URH , MDV1545URH , MDV1548URH , MDV1595SURH , MDV3604URH , MDV3605URH , MDV5524URH , J113 , 2SK3979 , 2SK4118LS , CEP50N06 , CEB50N06 , FQP16N25C , HY1607P , ME15N10 , MMD50R380P .

Back to Top