IRFS625 Todos los transistores

 

IRFS625 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS625
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFS625 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFS625 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  1
 irfs624 irfs625.pdf pdf_icon

IRFS625

 8.1. Size:211K  1
 irfs620a.pdf pdf_icon

IRFS625

 8.2. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS625

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.3. Size:281K  1
 irfs620 irfs621.pdf pdf_icon

IRFS625

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFS550A , IRFS610A , IRFS614A , IRFS620 , IRFS620A , IRFS622 , IRFS624 , IRFS624A , AON7506 , IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A .

History: SSF2316E | TPCP8106 | FIR20N60FG | VS3640DE

 

 
Back to Top

 


 
.