IRFS625. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS625

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS625

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS625 даташит

 ..1. Size:301K  1
 irfs624 irfs625.pdf pdf_icon

IRFS625

 8.1. Size:211K  1
 irfs620a.pdf pdf_icon

IRFS625

 8.2. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS625

November 2001 IRF624B/IRFS624B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 8.3. Size:281K  1
 irfs620 irfs621.pdf pdf_icon

IRFS625

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS550A, IRFS610A, IRFS614A, IRFS620, IRFS620A, IRFS622, IRFS624, IRFS624A, IRFB3607, IRFS630, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, IRFS634A, IRFS635, IRFS640, IRFS640A