Справочник MOSFET. IRFS625

 

IRFS625 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS625
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS625

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS625 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  1
 irfs624 irfs625.pdf pdf_icon

IRFS625

 8.1. Size:211K  1
 irfs620a.pdf pdf_icon

IRFS625

 8.2. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS625

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.3. Size:281K  1
 irfs620 irfs621.pdf pdf_icon

IRFS625

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS550A , IRFS610A , IRFS614A , IRFS620 , IRFS620A , IRFS622 , IRFS624 , IRFS624A , AON7506 , IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A .

History: LSB65R380HT | TSJ10N10AT | NCE0250D | RTR040N03TL | FIR75N06G | OSG65R069HSF

 

 
Back to Top

 


 
.