MSD23N58 Todos los transistores

 

MSD23N58 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSD23N58
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de MSD23N58 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSD23N58 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  bruckewell
 msd23n58.pdf pdf_icon

MSD23N58

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD23N58 N-Channel 60V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards,

 8.1. Size:948K  bruckewell
 msd23n22.pdf pdf_icon

MSD23N58

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD23N22 N-Channel 30V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards,

Otros transistores... ME15N10 , MMD50R380P , PDC4801R , PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , IRF520 , MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 .

History: OSG65R1K4FF | IRHMS57260SE | HFP2N60 | AP02N40H-HF | AFP2307AS23 | AON6790

 

 
Back to Top

 


 
.