Справочник MOSFET. MSD23N58

 

MSD23N58 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSD23N58
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD23N58 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  bruckewell
 msd23n58.pdf pdf_icon

MSD23N58

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD23N58 N-Channel 60V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards,

 8.1. Size:948K  bruckewell
 msd23n22.pdf pdf_icon

MSD23N58

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD23N22 N-Channel 30V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards,

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQD1N60CTF | MTE05N10FP | IPD50R280CE | RJK5014DPK | IPD046N08N5 | NDT6N70 | HTD600N06

 

 
Back to Top

 


 
.