MSD23N58 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSD23N58 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSD23N58
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MSD23N58

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD23N58 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  bruckewell
 msd23n58.pdf pdf_icon

MSD23N58

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD23N58 N-Channel 60V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards,

 8.1. Size:948K  bruckewell
 msd23n22.pdf pdf_icon

MSD23N58

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD23N22 N-Channel 30V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards,

Другие MOSFET... ME15N10 , MMD50R380P , PDC4801R , PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , 8N60 , MSD2N60 , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 .

History: IXFL38N100P | IPG20N04S4-08 | YJD80N03A | HY3208PS | APT50M80B2VRG | HRLT1B0N10K

 

 
Back to Top

 


 
.