MSD2N60 Todos los transistores

 

MSD2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSD2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de MSD2N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSD2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  bruckewell
 msd2n60.pdf pdf_icon

MSD2N60

MSD2N60 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSD2N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative Ne

 9.1. Size:985K  bruckewell
 msd2n70.pdf pdf_icon

MSD2N60

MSD2N70 700V N-Channel MOSFET Description The MSD2N70 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technolo

Otros transistores... MMD50R380P , PDC4801R , PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , EMB04N03H , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 .

History: STN1NK80Z | IRFS832 | PH3230S | ELM16400EA

 

 
Back to Top

 


 
.