MSD2N60 Todos los transistores

 

MSD2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSD2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MSD2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  bruckewell
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MSD2N60

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 9.1. Size:985K  bruckewell
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MSD2N60

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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