MSD2N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSD2N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSD2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MSD2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  bruckewell
 msd2n60.pdf pdf_icon

MSD2N60

MSD2N60 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSD2N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative Ne

 9.1. Size:985K  bruckewell
 msd2n70.pdf pdf_icon

MSD2N60

MSD2N70 700V N-Channel MOSFET Description The MSD2N70 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technolo

Другие MOSFET... MMD50R380P , PDC4801R , PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , EMB04N03H , MSD2N70 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 .

History: IPG20N04S4L-07 | LSB65R180HT | IPW65R280C6 | APT50M80B2VFRG | IXFL38N100P | MCQ4503A

 

 
Back to Top

 


 
.