MSD2N70 Todos los transistores

 

MSD2N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSD2N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MSD2N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  bruckewell
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MSD2N70

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 9.1. Size:758K  bruckewell
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MSD2N70

MSD2N60 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSD2N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative Ne

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History: SI2202 | SIHF10N40D

 

 
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