MSD2N70 Todos los transistores

 

MSD2N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSD2N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MSD2N70 datasheet

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MSD2N70

MSD2N70 700V N-Channel MOSFET Description The MSD2N70 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technolo

 9.1. Size:758K  bruckewell
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MSD2N70

MSD2N60 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSD2N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative Ne

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History: MCU20N15 | SCT3080KLHR | MCU20P10

 

 

 

 

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