MSD2N70 - описание и поиск аналогов

 

MSD2N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSD2N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MSD2N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD2N70 даташит

 ..1. Size:985K  bruckewell
 msd2n70.pdf pdf_icon

MSD2N70

MSD2N70 700V N-Channel MOSFET Description The MSD2N70 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technolo

 9.1. Size:758K  bruckewell
 msd2n60.pdf pdf_icon

MSD2N70

MSD2N60 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSD2N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative Ne

Другие MOSFET... PDC4801R , PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , K2611 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 .

History: PNMT6N1-LB | RTQ025P02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.