Справочник MOSFET. MSD2N70

 

MSD2N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSD2N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MSD2N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD2N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  bruckewell
 msd2n70.pdf pdf_icon

MSD2N70

MSD2N70 700V N-Channel MOSFET Description The MSD2N70 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technolo

 9.1. Size:758K  bruckewell
 msd2n60.pdf pdf_icon

MSD2N70

MSD2N60 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSD2N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative Ne

Другие MOSFET... PDC4801R , PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , IRF9640 , MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 .

History: SIR406DP | LSG60R240HT | CEU25N02

 

 
Back to Top

 


 
.