MSD80N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSD80N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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MSD80N03 Datasheet (PDF)
..1. Size:513K bruckewell
msd80n03.pdf
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Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD80N03 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES 100% UIS testing, @VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40V, rated VDS=25V N-CH Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package & Halogen-free package Absolute Maximum Ratings (Tc=25C unless otherwise noted) Pa
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