MSD80N03 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSD80N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSD80N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MSD80N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD80N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  bruckewell
 msd80n03.pdf pdf_icon

MSD80N03

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD80N03 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES 100% UIS testing, @VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40V, rated VDS=25V N-CH Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package & Halogen-free package Absolute Maximum Ratings (Tc=25C unless otherwise noted) Pa

Другие MOSFET... MSD30N06 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 , IRFP064N , MSE20N06N , MSF10N40 , MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 , MSF12N65 .

History: AO7417 | 2SK3163 | SIR412DP | HCCZ120R080H1

 

 
Back to Top

 


 
.