MSD80N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSD80N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 620 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-252
MSD80N03 Datasheet (PDF)
..1. Size:513K bruckewell
msd80n03.pdf
msd80n03.pdf
Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD80N03 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET FEATURES 100% UIS testing, @VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40V, rated VDS=25V N-CH Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package & Halogen-free package Absolute Maximum Ratings (Tc=25C unless otherwise noted) Pa
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
