MSF15N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSF15N60 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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MSF15N60 datasheet
msf15n60.pdf
MSF15N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSF15N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance S
Otros transistores... MSF10N60, MSF10N65, MSF10N80, MSF10N80A, MSF12N60, MSF12N65, MSF13N50, MSF14N60, IRF640, MSF16N50, MSF18N50, MSF20N50, MSF2N40, MSF2N60, MSF2N70, MSF3N80, MSF4N60
History: MSK4N80F | AP1310
🌐 : EN ES РУ
Liste
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