Справочник MOSFET. MSF15N60

 

MSF15N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSF15N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSF15N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF15N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:915K  bruckewell
 msf15n60.pdf pdf_icon

MSF15N60

MSF15N60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSF15N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance S

Другие MOSFET... MSF10N60 , MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 , MSF12N65 , MSF13N50 , MSF14N60 , IRFP460 , MSF16N50 , MSF18N50 , MSF20N50 , MSF2N40 , MSF2N60 , MSF2N70 , MSF3N80 , MSF4N60 .

History: LSG60R240HT | FQD12N20TF | TPD60R330M | IXTH240N15X4 | IXTH52N65X | HM16N50F | 2SK1838S

 

 
Back to Top

 


 
.